GR0976 Siliziumkarbidbeschichtete Graphitschalen

Siliziumkarbid-beschichtete Graphitplatten Beschreibung

Siliziumkarbidbeschichtete Graphitplatten werden durch Beschichtung der Oberfläche von hochgereinigtem isotropem Graphit mit einer feinen Siliziumkarbidschicht im CVD-Verfahren ( Chemical Vapor Deposition ) hergestellt. SiC-beschichtete Graphitplatten finden breite Anwendung in der Halbleiterindustrie und der Beschichtung.

Das CVD-Verfahren liefert eine extrem hohe Reinheit und theoretische Dichte der SiC-Beschichtung ohne Porosität. Da Siliciumcarbid zudem sehr hart ist, kann es zu einer spiegelähnlichen Oberfläche poliert werden. Die CVD-Beschichtung von Siliziumkarbid (SiC) bietet mehrere Vorteile, darunter eine ultrahochreine Oberfläche und extreme Verschleißfestigkeit. Da die beschichteten Produkte auch im Hochvakuum und bei hohen Temperaturen hervorragende Leistungen erbringen, sind sie ideal für Anwendungen in der Halbleiterindustrie und anderen ultrareinen Umgebungen.

Stanford Advanced Materials bietet auch mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitplatten an.

Siliziumkarbid-beschichtete Graphitplatten Spezifikation

Siliziumkarbidbeschichtete Graphitplatten Vorteile

• Die Siliziumkarbidschicht ist sehr hart und stabil bei hohen Temperaturen. Sie weist eine ausgezeichnete Oxidations-, Korrosions- und Chemikalienbeständigkeit auf.
• SiC-beschichteter Graphit verhindert die Trennung und Streuung von Graphitpartikeln sowie die Emission von Gasen und Verunreinigungen in der Graphitmatrix.

Anwendungen von siliciumcarbidbeschichteten Graphitplatten

• Die CVD-Beschichtung mit Siliciumcarbid wird bereits in der Halbleiterindustrie eingesetzt, z. B. für MOCVD-Böden, RTP und Oxidätzkammern, da Siliciumnitrid eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit aufweist und hochenergetischen Plasmen standhalten kann.
• Siliziumkarbid ist in der Halbleiter- und Beschichtungsindustrie weit verbreitet.