GA2156 Galliumantimonid-Einkristall-Substrat (GaSb)
| Katalog-Nr. | GA2156 |
| Reinheit | 99.99% |
| Molekulare Formel | GaSb |
| Durchmesser | 2", 3", 4" |
| Dicke | 500±25 μm, 600±25 μm, 800±25μm |
| Orientierung | (100) / (111) ±0.5° |
Stanford Advanced Materials (SAM) bietet Einkristall-GaSb-Substrate an und bietet seinen Kunden die größte Auswahl an GaSb-Materialien mit sehr gleichmäßigen elektrischen Eigenschaften und ausgezeichneter Oberflächenqualität.
Verwandte Produkte:Aluminiumnitrid-Substrate, Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid-Pulver (GaN), Gallium(III)-selenid (Ga2Se3).
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Beschreibung
Spezifikation
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