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Stanford Advanced Materials
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  • GA2156 Galliumantimonid-Einkristall-Substrat (GaSb)

    • GA2156 Galliumantimonid-Einkristall-Substrat (GaSb)

    Katalog-Nr. GA2156
    Reinheit 99.99%
    Molekulare Formel GaSb
    Durchmesser 2", 3", 4"
    Dicke 500±25 μm, 600±25 μm, 800±25μm
    Orientierung (100) / (111) ±0.5°

    Stanford Advanced Materials (SAM) bietet Einkristall-GaSb-Substrate an und bietet seinen Kunden die größte Auswahl an GaSb-Materialien mit sehr gleichmäßigen elektrischen Eigenschaften und ausgezeichneter Oberflächenqualität.

    Verwandte Produkte:Aluminiumnitrid-Substrate, Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid-Pulver (GaN), Gallium(III)-selenid (Ga2Se3).

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    GA2156 Gallium Antimonide Single Crystal Substrate
    GA2156 Gallium Antimonide Single Crystal Substrate
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