GA2269 Gallium-Phosphid-Wafer (GaP)
| Katalog-Nr. | GA2269 |
| Material | GaP |
| Dicke | 400um |
| Leitfähiger Typ | N - Typ |
| Durchmesser | Ø 2" |
| Größe | 2'' Durchmesser x 400um-500um Dicke, 5x5x0,3-0,5mm, 10x10x0,45mm, |
Galliumphosphid-Wafer (GaP) sind ein wichtiges Halbleitermaterial, das im Vergleich zu anderen III-V-Verbundmaterialien einzigartige elektrische Eigenschaften aufweist. Stanford Advanced Materials (SAM) liefert hochwertige einkristalline GaP-Wafer (Galliumphosphid) für die elektronische und optoelektronische Industrie in Durchmessern bis zu 2 Zoll.
Verwandte Produkte: Galliumnitrid-Wafer, Saphir-Wafer, Siliziumkarbid-Wafer, Silizium-Wafer, Galliumarsenid-Wafer, Germanium-Wafer (Ge-Wafer).
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Beschreibung
Spezifikation
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