IN2270 Indium-Antimonid-Wafer
| Katalog-Nr. | IN2270 |
| Material | InSb |
| Dicke | 500 um - 625 um |
| Leitfähiger Typ | N - Typ |
| Durchmesser | Ø 2" Ø 3" |
Stanford Advanced Materials (SAM) bietet eine breite Palette von Verbundwafern, darunter GaAs-Wafer, GaP-Wafer, GaSb-Wafer, InAs-Wafer und InP-Wafer.
Verwandte Produkte: Galliumnitrid-Wafer,Galliumarsenid-Wafer, Germanium-Wafer (Ge-Wafer), Galliumphosphid-Wafer, Indiumarsenid-Wafer.
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Beschreibung
Spezifikation
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