Targets aus Niob-Hafnium-Legierung Beschreibung
Niob-Hafnium-Legierung hat einen hohen Schmelzpunkt, erstklassigen Korrosionsschutz und gute Verarbeitbarkeit. Niob-Hafnium-Legierung kann für Pharmazie, Halbleiter, Luftfahrt, Kerntechnik usw. verwendet werden. Hochreine Sputtertargets spielen eine große Rolle bei Abscheidungsprozessen, um eine hohe Qualität der abgeschiedenen Schicht zu gewährleisten. Stanford Advanced Materials (SAM) hat sich auf die Herstellung von Targets aus Niob-Hafnium-Legierungen mit einem Reinheitsgrad von bis zu 99,95 % spezialisiert und setzt dabei Qualitätssicherungsprozesse ein, um die Zuverlässigkeit des Produkts zu gewährleisten.
Niob-Hafnium-Legierungstargets Spezifikation
Oberfläche
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Poliert
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Größe
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Kreisförmige Targets Durchmesser 10-400 mm Dicke 2-28
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Werkstoff
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R04295 (Nb-10Hf) Nb-10W-10Hf (Niob 10%Wolfram
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Reinheit
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99.9% 99.95% 99.99%
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Niob-Hafnium-Legierung Targets Anwendung
1. Halbleiterherstellung: Verwendung als Sputtertargets bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen wie integrierten Schaltkreisen (ICs), Transistoren und Dioden.
2. Datenspeicherung: Wird bei der Herstellung von magnetischen Aufzeichnungsmedien wie Festplattenlaufwerken (HDDs) und Magnetbändern für Datenspeicheranwendungen mit hoher Dichte verwendet.
3. Optische Beschichtungen: Anwendung bei der Abscheidung von Dünnschichten für optische Komponenten, Linsen, Spiegel und Filter, die in Lasern, optischen Instrumenten und Telekommunikationsgeräten verwendet werden.
4. Solarzellen: Aufgrund ihrer hervorragenden Leitfähigkeit und Stabilität werden sie bei der Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen für photovoltaische Anwendungen verwendet.
Niob-Hafnium-Legierung Targets Verpackung
Unsere Targets aus Niob-Hafnium-Legierung werden sorgfältig behandelt, um Schäden während der Lagerung und des Transports zu vermeiden und die Qualität unserer Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu erhalten.