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Stanford Advanced Materials
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  • CY2426 Siliziumkarbid (SiC)-Kristallsubstrate

    • CY2426 Siliziumkarbid (SiC)-Kristallsubstrate

    Katalog-Nr. CY2426
    Größe 10x10x0,33 mm oder kundenspezifisch
    Oberfläche Poliert, einseitig epi-poliert auf der Si-Seite
    Orientierung +/-0.5
    Wachstumsmethode MOCVD

    Stanford Advanced Materials (SAM) bietet Siliziumkarbid SiC-Kristallsubstrate in verschiedenen Größen an. Wir haben ein professionelles Verkaufsteam, das eine schnelle Antwort innerhalb von 24 Stunden und einen herzlichen Service bietet.

    Ähnliche Produkte: LiAlO2-Kristallsubstrat, LAST-Kristallsubstrat, LiF-Kristallsubstrat, NdGaO3-Kristallsubstrat, Galliumantimonid-Einkristallsubstrat.

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    CY2426 Silicon Carbide (SiC) Crystal Substrates
    CY2426 Silicon Carbide (SiC) Crystal Substrates
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