OP5084 CVD-Diamant-Wafer

Katalog-Nr.	OP5084
Typ	Einkristallkörner Substrat: SiO2/Si, Quarz, Saphir, Silizium-Wafer, PET, usw.
Größe	1010, 1515, 20*20 (mm)
Wachstumsmethode	Chemische Gasphasenabscheidung im Mikrowellenplasma (MPCVD)

CVD-Diamant-Wafer sind ein neues Material mit hervorragenden optischen und wärmeleitenden Eigenschaften. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger CVD-Diamant-Wafer.

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Sorte	Optische Qualität		Wärmeableitende Qualität
-	Polykristall	Einkristall	Polykristall	Einkristall
Wachstumsmethode	MPCVD	MPCVD	MPCVD	MPCVD
Größe (mm)	Φ50~Φ150	≥8 in Lichtrichtung	Φ50~Φ150	≥10
Leuchtkraft (%, 1mm Dicke)	>60%@λ>500nm >70%@λ>10μm	>65%@λ>500nm >71%@λ>10μm	/	/
Absorptionskoeffizient (^cm-1)	<0.12@λ=1.06μm <0.07@λ=10.6μm	<0.10@λ=1.06μm <0.05@λ=10.6μm	/	/
Wärmeleitfähigkeit (W/mk@300K)	>1800	>2200	>1200	>1500
Wärmeausdehnungskoeffizient (^10-6/K@300K)	1.0	1.0	1.0	1.0
Dielektrische Konstante	5,5±0,2@140GHz	/	/	/
Dielektrischer Verlust	^<6*10-5@GHz	/	/	/
Vickers-Härte (GPa)	80	70~120	80	70~120
Dicke (mm)	≥1	/	≥0.2	≥0.1
Toleranz der Dicke (mm)	±0.03	±0.03	±0.03	±0.03
Parallelität (μm/cm)	≤5	≤4	/	/
Ebenheit PV-Wert (Streifen/cm@633nm)	≤1	≤1/3	/	/
Rauhigkeit (nm)	≤10	≤2	≤30	≤30
Verwerfung (μm/cm)	≤4	/	/	/

Klasse	Optische Qualität		Kühlkörpersorte
-	Polykristall	Einkristall	Polykristall	Einkristall
Wachstumsmethode	MPCVD	MPCVD	MPCVD	MPCVD
Größe (mm)	Φ50~Φ150	≥8 in Lichtrichtung	Φ50~Φ150	≥10
Leuchtkraft (%, 1mm Dicke)	>60%@λ>500nm >70%@λ>10μm	>65%@λ>500nm >71%@λ>10μm	/	/
Absorptionskoeffizient (^cm-1)	<0.12@λ=1.06μm <0.07@λ=10.6μm	<0.10@λ=1.06μm <0.05@λ=10.6μm	/	/
Wärmeleitfähigkeit (W/mk@300K)	>1800	>2200	>1200	>1500
Wärmeausdehnungskoeffizient (^10-6/K@300K)	1.0	1.0	1.0	1.0
Dielektrische Konstante	5,5±0,2@140GHz	/	/	/
Dielektrischer Verlust	^<6*10-5@GHz	/	/	/
Vickers-Härte (GPa)	80	70~120	80	70~120
Dicke (mm)	≥1	/	≥0.2	≥0.1
Toleranz der Dicke (mm)	±0.03	±0.03	±0.03	±0.03
Parallelität (μm/cm)	≤5	≤4	/	/
Ebenheit PV-Wert (Streifen/cm@633nm)	≤1	≤1/3	/	/
Rauhigkeit (nm)	≤10	≤2	≤30	≤30
Verwerfung (μm/cm)	≤4	/	/	/

OP5084 CVD-Diamant-Wafer

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