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Stanford Advanced Materials
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  • CY4611 Gallium-Oxid-Wafer

    • CY4611 Gallium-Oxid-Wafer

    Katalog-Nr. CY4611
    Material β-Ga2O3
    Klasse Erstklassige Qualität
    Größe Dia. 25,4mm-50,8mm, Länge 5mm-15mm, oder kundenspezifisch
    Bandlücke 4,8~4,9eV
    Orientierung <201> <010>

    Galliumoxid ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger optischer Produkte.

    Verwandte Produkte: Galliumnitrid-Wafer, Galliumphosphid-Wafer, Saphir-Wafer, Silizium-Wafer

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    sc/1731043179-CY4611.jpg
    sc/1674888812-normal-gallium-oxide-wafer-2.jpg
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