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OP4387 Germanium-Sulfid (GeS)-Kristall

Katalog-Nr. OP4387
Material GeS
Kristall Größe ~10 mm
Kristallstruktur Orthorhombisch
Reinheit >99,995%

Germaniumsulfidkristall ist ein Halbleiter mit einer indirekten Bandlücke von 1,6 eV. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger optischer Produkte.

Verwandte Produkte: Arsen-Tellurid-Kristall (As2Te3), Bismut-Sulfid-Kristall (Bi2S3), Molybdän-Sulfid-Selenid (MoSSe) Pulver

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sc/1663315801-normal-Germanium Sulphide (GeS) Crystal.jpg
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