Wir bieten Hafniumoxid (HfO2) Verdampfungsmaterialien in verschiedenen Formen an. Kundenspezifische Formen sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich. Stanford Advanced Materials (SAM) ist ein führender Hersteller und Lieferant von hochreinen Hafniumoxid-Verdampfungsmaterialien und einer breiten Palette von Verdampfungsmaterialien.
Hafniumoxid (HfO2)-A ufdampfmaterialien werden in Dünnschichtabscheidungsprozessen zur Herstellung von Beschichtungen mit anpassbaren elektrischen, optischen oder dielektrischen Eigenschaften verwendet. HfO2-Schichten sind für ihre hohe Dielektrizitätskonstante, ihre thermische Stabilität und ihre große Bandlücke bekannt und spielen in der Halbleiterherstellung eine wichtige Rolle, insbesondere für Gate-Dielektrikum-Anwendungen in modernen CMOS-Transistoren. Darüber hinaus finden Hafniumoxid-Filme Verwendung in optischen Beschichtungen, High-k-Dielektrika und Kondensatoranwendungen und tragen so zum Fortschritt in der Elektronik, Optik und Nanotechnologie bei.
Unsere Hafniumoxid (HfO2)-A ufdampfmaterialien werden sorgfältig behandelt, um Schäden während der Lagerung und des Transports zu vermeiden und die Qualität unserer Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu erhalten.
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