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Stanford Advanced Materials
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  • CY3306 Saphir-Epitaxie-Wafer EPI-Wafer

    • CY3306 Saphir-Epitaxie-Wafer EPI-Wafer

    Katalog-Nr. CY3306
    Material Sapphire
    Größe D76mm, 100mm, 150mm
    Dicke der Epi-Schicht, µm 0.3-2.0
    Dotierstoff in der Epi-Schicht Phosphor, Bor

    Saphir-Epitaxie-Wafer EPI-Wafer zeichnen sich durch eine hervorragende elektrische Isolierung aus, die wirksam verhindert, dass sich durch Streustrom verursachte Strahlung auf benachbarte Komponenten ausbreitet. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger optischer Produkte.

    Verwandte Produkte: Siliziumkarbid-Wafer SiC, SOI-Wafer, Siliziumkarbid-Wafer

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