SC2276 SOI-Wafer
| Katalog-Nr. | SC2276 |
| Material | Si |
| Durchmesser | 2'' bis 12'' |
| Dotierstoff | Bor/Phosphor/Antimon/Arsen |
| Leitfähigkeit | P-Typ/N-Typ / Intrinsisch |
SAM bietet thermische Siliziumoxid-Wafer mit einem Durchmesser von 2" bis 12" an. Wir wählen immer erstklassige und fehlerfreie Silizium-Wafer als Substrat für das Wachstum einer hochgradig gleichmäßigen thermischen Oxidschicht, um Ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen.
Verwandte Produkte: Indium-Antimonid-Wafer, Siliziumkarbid-Wafer, Galliumphosphid-Wafer, Silizium-Wafer, 1851 Germanium-Wafer (Ge-Wafer).
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Beschreibung
Spezifikation
LETZTE EMPFEHLUNG
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