Der Einfluss der Siliziumwaferqualität auf die Leistung und Zuverlässigkeit von Halbleitern

1 Einleitung

Der Halbleitermarkt wächst weiter, da sich die Wirtschaft erholt. Aufkommende Anwendungen wie 5G und neue Energiefahrzeuge bescheren der globalen Halbleiterindustrie eine neue Wachstumsrunde. Daten der World Semiconductor Trade Statistics Organization (WSTS) zeigen, dass die Größe des globalen Halbleitermarktes im Jahr 2022 im Vergleich zum Vorjahr um 3,3 % wachsen und einen Rekordwert von 574 Milliarden US-Dollar erreichen wird.

Als Basismaterial für Halbleiterchips wird auch die Siliziumwafer-Industrie eine rasante Entwicklung erleben. Als Teil der Unterhaltungselektronik Nachfrage Rebound und AI Ausbruch Nachfrage zu steigern, hat die 12-Zoll-Wafer-Fab in der zweiten Hälfte des Jahres 2023 schrittweise Erholung gewesen. In der beschleunigten Entwicklung der führenden Unternehmen und die allmähliche Erholung der Endnachfrage, wird das Segment zweistelliges Wachstum im Jahr 2024 zu realisieren.

Als kritisches Basismaterial in der Halbleiterfertigung wirkt sich die Kristallqualität von Siliziumwafern (Abb. 1) direkt auf die Eigenschaften des fertigen Halbleiterbauteils aus. Die Auswirkungen von Gitterqualität und Korngrenzendefekten auf die Elektronenbeweglichkeit von Siliziumwafern wirken sich direkt auf die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch des Bauelements aus und können den Leckstrom des Bauelements erhöhen. Die Ebenheit und der Grad der Verunreinigung auf der Oberfläche eines Siliziumwafers können erhebliche Auswirkungen auf wichtige Schritte wie Lithografie, Dünnschichtabscheidung und Ätzen haben. Verunreinigungen und Dotierungen in Siliziumwafern können zu erhöhtem Elektroneneinfang, kürzeren Ladungsträgerlebensdauern und Drift der Bauelementeparameter führen. Darüber hinaus können bei der Vorbereitung der Siliziumwafer und der anschließenden Verarbeitung Temperatur- und Druckspannungen auftreten, die sich auf die mechanische Stabilität und die elektrischen Eigenschaften der Kristalle auswirken.

2 Schlüsselfaktoren, die die Qualität von Siliziumwafern bestimmen

2.1 Kristallstruktur: Reinheit des einkristallinen Siliziums, Kristalldefekte

Als Schlüsselfaktoren für die Qualität von Siliziumwafern in Bezug auf die Kristallstruktur werden am häufigsten die Kristallreinheit und die Kristalldefekte genannt.

1. Kristallreinheit: Die Reinheit von einkristallinem Silizium ist entscheidend für seine elektrischen Eigenschaften. Typisches Industriesilizium (99,0-99,9 %) hat keine Halbleitereigenschaften, aber wenn es auf einen sehr hohen Reinheitsgrad gereinigt wird (99,999999999 %), weist es ausgezeichnete Halbleitereigenschaften auf. Hochwertiges monokristallines Silizium erreicht in der Regel 99,999999999% (9 von 9) oder mehr auf elektronischer Ebene.

2. Kristallographische Defekte: Die tatsächliche Kristallraumanordnung und die ideale Raumanordnung sind unterschiedlich, da sie nicht der absolut idealen regelmäßigen periodischen Anordnung entsprechen (Abb. 2). Stattdessen gibt es in der Anordnung Unregelmäßigkeiten und Aberrationen, Abweichungen von der idealen Raumanordnung. Diese Strukturen oder Regionen, die von der Punktmatrix abweichen, werden allgemein als Kristalldefekte bezeichnet.

Unter ihnen ist die Versetzung ein sehr wichtiger Kristalldefekt. Die Versetzung eines Kristalls ist eine sehr lange Linie, um die herum die Atome in einem bestimmten Bereich regelmäßig falsch ausgerichtet sind und ihre ursprüngliche Gleichgewichtslage verlassen, weshalb sie als Versetzung bezeichnet wird.

2.2 Oberflächenqualität: Ebenheit, Rauheit, Partikelkontamination

1. Oberflächenverschmutzung: Dieser Defekt bezieht sich auf Fremdkörper wie Staub, Partikel und Schadstoffe, die sich auf der Oberfläche des Wafers befinden. Sie stammen aus den Rückständen, die beim Schneiden, Polieren, Reinigen, Ätzen usw. entstehen, oder aus dem Staub in der Luft bzw. den Rückständen chemischer Reagenzien. Diese Redundanzen beeinträchtigen die Ebenheit und Sauberkeit des Wafers sowie die Qualität der nachfolgenden Lithografie-, Dotierungs- und sonstigen Prozesse, was zu Defekten in der Struktur des integrierten Schaltkreises oder zu Veränderungen der elektrischen Eigenschaften des Chips führen kann.

2. Mechanische Beschädigung: Dieser Defekt bezieht sich auf die Wafer-Oberfläche oder die Kante der Kratzer, Abplatzungen, Peeling und andere Phänomene, in der Wafer Schneiden, Polieren, Handhabung und andere Prozesse, die durch die Auswirkungen oder Reibung, oder die Qualität der Klinge oder die Parameter der ungeeigneten kann zu einer Verringerung der Oberflächenebenheit. Diese mechanischen Beschädigungen beeinträchtigen die Integrität und Stabilität des Wafers und können zum Bruch oder zur Ablösung des Chips führen.

2.3 Maßgenauigkeit: Wafer-Durchmesser, Dicke, Verzug

Die Größe und Dicke von Wafern wird nicht willkürlich gewählt, sondern basiert auf Prozessanforderungen und physikalischen Eigenschaften. Wenn die Wafergröße größer wird, wird die Dicke des Wafers entsprechend erhöht, um seine mechanische Festigkeit und Verformung beizubehalten und gleichzeitig Schäden aufgrund von Spannungen oder Biegung während der Verarbeitung zu vermeiden. Wafer werden während des Herstellungsprozesses verschiedenen physikalischen und chemischen Behandlungen unterzogen, darunter Ätzen, Ionenimplantation, Oxidation, Diffusion usw. Diese Prozesse können dazu führen, dass der Wafer mechanisch belastet wird, und wenn der Wafer zu dünn ist, kann er zerbrechen oder brechen. Die Wafer müssen während der Verarbeitung gehandhabt und positioniert werden. Wenn der Wafer zu dünn ist, kann er verbogen werden, was die Verarbeitungsgenauigkeit beeinträchtigt.

3 Wie sich die Qualitätsfaktoren von Siliziumwafern auf die Leistung von Halbleiterbauelementen auswirken

3.1 Kristallstruktur, Gitterdefekte

Die häufiger vorkommenden Versetzungen in Gitterfehlern haben einen erheblichen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften von Siliziumeinkristallen. Beispielsweise beeinflussen Versetzungen den spezifischen Widerstand und die Ladungsträgerkonzentration, verkürzen die Lebensdauer von Minoritätsträgern und verringern die Elektronenbeweglichkeit.

1. Widerstandseffekt: Versetzungen führen lokalisierte Spannungsfelder und Ungleichmäßigkeiten im Kristall ein, was zu einer verstärkten Streuung von Elektronen und Löchern führt. Diese Streuung führt zu einer blockierten Ladungsträgerwanderung, die den spezifischen Widerstand des Materials erhöht.

2. Auswirkungen der Ladungsträgerkonzentration: Versetzungen können zusätzliche Fremdatome einbringen oder die Anordnung der Atome im Gitter verändern, wodurch sich die Ladungsträgerkonzentration des Halbleitermaterials ändert. So kann beispielsweise ein lokales Spannungsfeld in der Nähe einer Versetzung dazu führen, dass die Position der Atome verschoben oder verformt wird, was sich wiederum auf die Erzeugung und Unterdrückung von Ladungsträgern auswirkt.

3. Verkürzte Lebensdauer von Minoritätsträgern: Versetzungen erhöhen die Komplexität der Ladungsträger in einem Material. In Halbleitern führt die Ladungsträgerkomplexierung zu verkürzten Lebensdauern von Minoritätsträgern (z. B. Elektronen oder Löcher innerhalb der Diffusionslänge der Minoritätsträger). Das lokalisierte Spannungsfeld und die Ungleichmäßigkeit, die durch Versetzungen hervorgerufen werden, können die Wechselwirkung zwischen den Ladungsträgern erhöhen und den Verbindungsprozess fördern.

4. Verminderte Elektronenbeweglichkeit: Versetzungen verursachen Verzerrungen und Ungleichmäßigkeiten im Kristallgitter, die zu einer behinderten Bewegung von Ladungsträgern innerhalb des Kristalls führen können. Insbesondere Elektronen werden im Gitter durch Defekte wie Versetzungen und Korngrenzen gestreut, was die Elektronenmobilität verringert.

3.2 Oberflächenebenheit

Die Oberflächenebenheit eines Siliziumwafers hat eine kaskadenartige Wirkung auf Halbleiterbauelemente. Sie wirkt sich nicht nur direkt auf die Qualität der Kontaktfläche aus, die mit anderen Materialien oder Bauteilen wie Metallelektroden und Gehäusematerialien in Berührung kommt. Die Qualität der Kontaktfläche wirkt sich direkt auf den Wert des Kontaktwiderstands aus, und eine unebene Kontaktfläche, die unter dem Einfluss externer Kräfte verschiedene Datenänderungen hervorruft, wirkt sich auch auf die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts aus.

Darüber hinaus wirken sich die Ebenheit der Oberfläche des Siliziumwafers sowie Verunreinigungen und andere Oberflächenbedingungen auch auf die Verwendung der Fotolithografie und der Ätztechnik zur Festlegung der Struktur aus. Ätztechnik und Photolithographie werden häufig bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, um die Struktur und das Muster des Bauelements zu gravieren. Die Oberflächenbeschaffenheit des Silizium-Wafers wirkt sich direkt auf die Genauigkeit der Photolithographie und des Ätzens aus, wobei die Qualität und Einheitlichkeit der Grafiken sowie die Form und Größe des Bauelements eine entscheidende Rolle spielen.

Siliziumwafer als wichtiges Substrat für die Dünnschichtabscheidung, ihre Oberflächenebenheit wirkt sich unmittelbar auf die Qualität der auf der Oberfläche abgeschiedenen Schicht aus. Defekte und Verunreinigungen auf der Oberfläche von Siliziumwafern können zu ungleichmäßiger Schichtabscheidung, ungleichmäßiger Schichtdicke, Blasen, Rissen und anderen Defekten führen und so die Leistung und Stabilität des Bauteils beeinträchtigen.

3.3 Korngrenzen und Verunreinigungen

Der spezifische Widerstand eines Halbleiters ist sehr empfindlich gegenüber der Menge an Verunreinigungen, die er enthält. Selbst winzige Verunreinigungen können die elektrischen Eigenschaften von Silizium, wie Leitfähigkeit und Ladungsträgerbeweglichkeit, ernsthaft beeinträchtigen. Insbesondere einige Verunreinigungen wie Eisen, Kupfer und Magnesium haben einen großen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften. Das Vorhandensein von Verunreinigungen kann zu Elektronenstreuung und lokalen Ungleichmäßigkeiten im Kristall führen, wodurch die Leistung und Zuverlässigkeit des Bauelements verringert wird. Änderungen im Gehalt an Verunreinigungen können den spezifischen Widerstand von Halbleitermaterialien erheblich verändern. Wenn zum Beispiel die Konzentration von Phosphorverunreinigungen in Silizium im Bereich von 1021-1012 cm-3 schwankt, ändert sich der spezifische Widerstand von 10-4 Ω.cm auf 104 Ω.cm. Es gibt nicht viele Materialien, deren spezifischer Widerstand in einem so weiten Bereich variieren kann, was zeigt, dass der Gehalt an Verunreinigungen in Halbleitern einer der wichtigsten Faktoren für die Bestimmung des spezifischen Widerstands ist.

3.4 Wafergröße, -dicke, Verzug

Je größer der Durchmesser des Siliziumwafers ist, desto günstiger ist er für den Hersteller. In der großen Größe und großen Durchmesser Silizium-Wafer können mehr Chip-Geräte, Ausrüstung Produktionseffizienz kann effektiv verbessert werden, zur gleichen Zeit der Rand des verschwendeten Materials reduziert werden, um zusätzliche Kosten zu reduzieren, zusätzlich zur Verbesserung der Ausrüstung Wiederverwendungsrate.

Aber die Größe der Silizium-Wafer ist nicht eine willkürliche Entscheidung, es hängt von der Verarbeitungskapazität der Produktionsanlagen, weil das Material selbst die Rolle der Stress, wenn die Wafer-Größe erhöht, wird seine Dicke muss entsprechend erhöht werden, um die strukturelle Stabilität des Materials zu erhalten, da sonst die Größe der großen, dünnen Dicke des Wafer-Materials Verwerfung wird eine entsprechende Erhöhung der Dicke des Wafer-Materials wird auch erscheinen Bruch Verlust und andere Phänomene.

4 Wie sich die Qualität der Siliziumwafer auf die Zuverlässigkeit von Halbleitern auswirkt

4.1 Auswirkung der Defektdichte auf die Lebensdauer von Bauelementen

Die Lebensdauer eines Halbleiterbauelements wird in erster Linie durch seine physische Lebensdauer und seine Wartungsdauer bestimmt. Die physische Lebensdauer bezieht sich auf die Zeit, in der ein Halbleiterbauelement aufgrund von Materialalterung oder Verschleiß unter normalen Betriebsbedingungen ausfällt. Defekte in Siliziumwafern können den Alterungsprozess des Materials beschleunigen, so dass das Bauelement in kürzerer Zeit ausfällt. Gleichzeitig können Defekte auch zu Leckströmen, verminderter thermischer Stabilität und anderen Problemen führen, die die Lebensdauer des Bauelements weiter beeinträchtigen.

Die Reparaturdauer ist die Zeit, in der ein Halbleiterbauelement repariert werden kann und nach einem Ausfall weiterhin normal funktioniert. Ist die Defektdichte von Siliziumwafern jedoch zu hoch, kann es schwierig sein, die ursprüngliche Leistung des Bauelements während des Reparaturprozesses wiederherzustellen, oder die Reparaturkosten sind zu hoch, so dass sich die Reparaturdauer verringert.

Defekte in Siliziumwafern beeinträchtigen auch die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen. Defekte in der Kristallstruktur führen dazu, dass die Partikel von der idealen Position der Kristallstruktur abweichen, was zu Bindungen in unterschiedlichen Positionen und Veränderungen in der Kristallstruktur führt, die sich als ungleichmäßige Spannung äußern, was zu Instabilität oder plötzlichem Versagen des Bauelements während des Betriebs führen kann und somit die Stabilität des gesamten elektronischen Systems beeinträchtigt.

4.2 Zusammenhang zwischen Waferqualität, Leckstrom und Durchbruchspannung

Der Leckstrom ist der Strom, der in einem Halbleiterbauelement bei normaler Betriebsspannung nicht fließen sollte. Wenn ein Siliziumwafer Defekte wie Verunreinigungen, Gitterverzerrungen, Mikrorisse usw. aufweist, können diese Defekte sowie Verunreinigungen, insbesondere Verunreinigungspartikel mit leitenden Eigenschaften, leitende Kanäle bilden, die dazu führen, dass Strom dort fließt, wo er nicht fließen sollte, und damit Leckstrom erzeugen. Das Vorhandensein von Leckstrom erhöht nicht nur den Stromverbrauch des Bauelements, sondern kann auch die Temperatur des Bauelements ansteigen lassen, was die Leistung und Lebensdauer des Bauelements weiter beeinträchtigt.

Die Durchbruchspannung ist die maximale Spannung, der ein Halbleiterbauelement unter normalen Betriebsbedingungen standhalten kann. Bei Überschreiten dieser Spannung kann es zu einem Durchbruch kommen, d. h. zu einem plötzlichen Stromanstieg, der zu einer Beschädigung des Bauteils führt. Defekte in Siliziumwafern können die Durchbruchsspannung eines Bauelements verringern, da es an den Defekten zu einer Konzentration elektrischer Felder oder struktureller Brüchigkeit kommen kann, so dass das Bauelement bei niedrigeren Spannungen zusammenbricht. Die Qualität des Siliziumwafers hat also einen erheblichen Einfluss auf die Durchbruchspannung.

5 Herstellung von Siliziumwafern und Qualitätskontrolle

5.1 Kristallzüchtungstechnologie für Siliziumwafer

Für die Züchtung von Siliziumkristallen wird heute in der Regel die Lift-off-Methode verwendet. Der Tiegel wird mit Silizium gefüllt und erhitzt, so dass die Temperatur im Tiegel bei 1685 °C gehalten wird. Diese Temperatur liegt etwa 100 °C über dem Schmelzpunkt von Silizium allein, so dass sich das Silizium im Tiegel in einem geschmolzenen Zustand befindet. Im oberen Teil des Schmelztiegels befindet sich eine Hubstange, die durch eine mechanische Vorrichtung angehoben und frei gedreht werden kann. Ein kleines Stück einkristallines Silizium wird in den Tiegel getaucht, indem es oben am Hebel befestigt wird. Dieser Siliziumeinkristall wirkt als "Keim" und zieht die umliegenden Siliziumatome an, die sich um ihn herum anordnen und einen Kristall bilden. Der Kristall wächst, während er langsam gezogen und gedreht wird, und die Teile, die herausgezogen werden, gehören alle zu demselben Einkristall. Der große Einkristall hat einen Durchmesser von 200 Millimetern und ist damit dicker als Ihr Arm. Ein solcher Kristall hat keine Schnittstelle, keine Defekte und kann als der perfekteste Einkristall bezeichnet werden, den der Mensch herstellen kann. Um die Reinheit des Materials zu gewährleisten und eine ungleichmäßige Keimbildung zu vermeiden, sollten alle Vorgänge unter Vakuum oder Inertgas durchgeführt werden. Um das Auftreten von Versetzungen im Kristall zu verhindern, wird bei der traditionellen Methode des Hebens von einkristallinem Silizium zu Beginn des Kristallisationswachstums eine dünne Einschnürung erzeugt, die als "Necking-Methode" bezeichnet wird. Aufgrund der Stärke der Einschnürung ist es schwierig, einkristallines Silizium mit einem Gewicht von mehr als 100 Kilogramm zu heben. Die Wissenschaftler fügten dem Impfkristall eine beträchtliche Menge an Bor hinzu, was die Festigkeit des Impfkristalls erheblich verbesserte und die Versetzung des Kristalls verhinderte, so dass keine Einschnürung mit einem Durchmesser von 3 mm mehr erforderlich ist. Diese neue Methode ersetzt die seit 30 Jahren angewandte Einschnürungsmethode und ist nicht nur in der Lage, großes einkristallines Silizium zu produzieren, sondern auch die Kristallwachstumszeit zu verkürzen und die Ausbeute zu verbessern, was für die billige Produktion von integrierten Schaltkreisen im Ultra-Großformat erforderlich ist, um die Möglichkeit von großem einkristallinem Silizium zu schaffen.

Das Waferwachstum erfordert, dass das Polysilizium nach dem Schmelzen in den Quarztiegel des Ofens, ins Vakuum oder in ein Schutzgas gegeben wird. Nachdem das geschmolzene Silizium stabilisiert ist, können Einkristalle gezogen werden, wobei ein Stück Impfkristall, das bereits die innere Kristallrichtung bestimmt hat, als Führung auf der Flüssigkeitsoberfläche verwendet wird. Durch die Steuerung der Höhe der Flüssigkeitsoberfläche des Tiegels, der Temperatur der Fest-Flüssig-Grenzfläche und der Rotationsgeschwindigkeit des Impfkristalls wird das Silizium von einer Flüssigkeit wieder in einen Feststoff mit einer einheitlichen inneren Kristallrichtung umgewandelt, um Einkristalle mit großem Durchmesser zu züchten. Der automatische Anpassungsprozess und die Hubgeschwindigkeit werden von Computern gesteuert, wodurch das isotrope Wachstum von einkristallinem Silizium gewährleistet wird.

5.2 Oberflächenbehandlungstechnologie für Siliziumwafer

Nach dem Schneiden müssen die Wafer einer Oberflächenbehandlung unterzogen werden, um sicherzustellen, dass die Waferoberfläche eben und frei von Verunreinigungen ist. Die am häufigsten verwendeten Behandlungsmethoden sind Photolithographie, Ätzen usw. Es gibt auch einige Reinigungsverfahren wie die Plasmareinigung, die nicht nur die Oberfläche des Wafers reinigen, sondern auch die Oberflächenaktivität, die Haftfähigkeit der Materialoberfläche, die Schweißfähigkeit, die Hydrophilie usw. verbessern können.

Darüber hinaus gibt es einige innovative Behandlungsmethoden, wie z. B. das Einbringen des Wafers in eine Reaktionskammer mit einem Reaktionsgas, die Reaktion des Reaktionsgases mit den Oxiden auf der Oberfläche des Wafers zur Bildung eines Reaktionsprodukts und das mindestens zweimalige Tempern des Wafers zur Zersetzung und Entfernung des Reaktionsprodukts. Das Oberflächenbehandlungsverfahren ermöglicht es, die im Oberflächenbehandlungsprozess erzeugten Reaktionsprodukte durch mehrfaches Glühen des Wafers mehrfach zu zersetzen, und jede Glühbehandlung zersetzt die Reaktionsprodukte, so dass die Dicke der Reaktionsprodukte weiter abnimmt, und gleichzeitig die Schwierigkeit der Zersetzung der Reaktionsprodukte aufgrund der zu dicken Dicke der Reaktionsprodukte verringert und dann die Zersetzung der Reaktionsprodukte auf der Oberfläche des Wafers erleichtert und die Anzahl der Glühungen des Wafers während des Oberflächenbehandlungsverfahrens verringert und die Anzahl der Glühungen des Oberflächenbehandlungsverfahrens verringert. Dadurch wird die Menge der Reaktionsproduktrückstände auf der Waferoberfläche während des Oberflächenbehandlungsprozesses verringert.

5.3 Inspektionstechniken für die Siliziumwaferqualität

Aufgrund des Vorhandenseins von Waferdefekten kann es bei der Funktionsprüfung aller Chips auf einem Wafer zu Chipausfällen kommen. Chip-Ingenieure markieren die Testergebnisse mit verschiedenen Farben, um die Position der Chips zu unterscheiden. Unter dem Einfluss verschiedener Betriebsprozesse entstehen entsprechend spezifische räumliche Muster auf dem Wafer. Hansen et al. wiesen 1997 darauf hin, dass defekte Chips in der Regel Aggregationsphänomene aufweisen oder bestimmte systematische Muster zeigen, und solche defekten Muster enthalten in der Regel notwendige Informationen über die Prozessbedingungen. Die Waferkarte spiegelt nicht nur die Integrität des Chips wider, sondern beschreibt auch genau die räumlichen Informationen, die den Defektdaten entsprechen. Die Wafer-Map kann die räumliche Abhängigkeit über den gesamten Wafer zeigen, und Chip-Ingenieure können oft die Ursache von Defekten zurückverfolgen und Probleme auf der Grundlage der Art des Defekts lösen. Bei Wafermustern mit großen Flächen, kleinen Merkmalen, geringer Dichte und geringer Integration können die Lithografiepfade mit einem Elektronenmikroskop beobachtet und die Spuren direkt erkannt werden. Für die Erkennung kann auch ein Bildsignalverarbeitungssystem verwendet werden, bei dem das Bildsignal durch Filter in verschiedene Frequenzteilbänder zerlegt wird und dann der Mittelwert, die Standardabweichung und andere statistische Werte wie Wavelet-Koeffizienten ermittelt und berechnet werden, um Anomalien zu erkennen.

6 Schlussfolgerung

Als grundlegendes Material in der Halbleiterherstellung wirkt sich die Kristallqualität von Siliziumwafern direkt auf die Eigenschaften der fertigen Halbleiterbauelemente aus. Technologische Fortschritte bei den Produktions- und Prüfverfahren haben zu einer allmählichen Verbesserung der Reinheit und Präzision von Siliziumwafern geführt, die in Zukunft für ein breiteres Spektrum von Anwendungen und genaueren Materialien verwendet werden. Für eine bessere Anwendungserfahrung bietet Stanford Advanced Materials nicht nur qualitativ hochwertige Siliziumwaferprodukte, sondern auch umfassende Dienstleistungen, einschließlich Beratung und Kundendienst, an.

Weiterführende Lektüre:

Galliumarsenid-Wafer VS. Silizium-Wafer

Wachstum von Graphen und Anhaftung an Siliziumwafern

Referenzen:

[1]Masataka H ,Daiki T ,Oga N , et al. Experimental study on the effect of impurity concentration on phonon and electronic transport properties of single-crystal silicon[J]. Results in Physics, 2023, 47.

[2]Martin M ,P. P M ,Yi S B , et al. Effect of grain boundary scattering on carrier mobility and thermoelectric properties of tellurium incorporated copper iodide thin films[J]. Surfaces and Interfaces,2023,41.