Wesentliche elektronische Materialien: Teil 1 - Silizium
1 Einleitung
Silizium, ein grundlegendes Material in der modernen Elektronik, ist für Anwendungen von integrierten Schaltkreisen bis hin zu Solarzellen unerlässlich. Als vierwertiges Quasi-Metall und Halbleiter ist Silizium aufgrund seiner Struktur und Eigenschaften von unschätzbarem Wert für elektronische Geräte. Sein Vorkommen, seine Erschwinglichkeit und seine hochgradig abstimmbare Reinheit haben seine Rolle als grundlegendes Material in der Industrie gesichert. In diesem Artikel werden die grundlegenden Eigenschaften von Silizium, die Gewinnungs- und Produktionsverfahren und die Anwendungen sowie seine Vorteile und Grenzen erörtert, um einen Überblick darüber zu geben, warum Silizium nach wie vor der Eckpfeiler der elektronischen Materialwissenschaft ist.
2 Grundlegende Eigenschaften von Silizium
Silizium ist ein chemisches Element mit dem chemischen Symbol Si, der Ordnungszahl 14 und der relativen Atommasse 28,0855. Es ist ein harter, spröder kristalliner Festkörper, ein vierwertiges Quasi-Metall und ein Halbleiter. Es ist ein harter, spröder kristalliner Festkörper, ein vierwertiges Quasimetall und ein Halbleiter. Es hat zwei Isomere, amorphes und kristallines Silizium, und gehört zur dritten Periode des Periodensystems der Elemente, der IVA-Gruppe der metalloiden Elemente. Kristallines Silizium ist grau-schwarz, hat eine Dichte von 2,32-2,34 g/cm3, einen Schmelzpunkt von 1410 ℃ und einen Siedepunkt von 2355 ℃, kristallines Silizium gehört zu den atomaren Kristallen. Unlöslich in Wasser, Salpetersäure und Salzsäure, löslich in Fluorwasserstoffsäure und Lauge. Es ist hart und hat einen Metallglanz.
Silizium ist auch in der Natur ein häufiges Element, meist in Form von komplexen Silikaten oder Kieselsäure, die in Gestein, Kies und Staub weit verbreitet ist. Silizium ist das achthäufigste Element im Universum. Es ist in Form von Kieselsäure (Silikaten) oder Silikaten in Staub, Sandkörnern, Planetesimalen und Planeten weit verbreitet. Mehr als 90 % der Erdkruste besteht aus Silikatmineralien, womit Silizium nach Sauerstoff das zweithäufigste Element in der Erdkruste ist (etwa 28 % der Masse).
Das Siliciumatom befindet sich in der Hauptgruppe IV des Periodensystems; es hat eine Ordnungszahl von 14 und 14 Elektronen außerhalb des Kerns. Die Elektronen außerhalb des Kerns schichten sich je nach Energieniveau vom niedrigen zum hohen Siliciumatom, von innen nach außen. Die erste Schicht von Elektronen außerhalb des Siliziumkerns hat 2 Elektronen, die zweite Schicht hat 8 Elektronen und erreicht einen stabilen Zustand. Die äußerste Schicht hat 4 Valenzelektronen, die für die Leitfähigkeit des Siliciumatoms eine wichtige Rolle spielen.
Da das Siliziumatom eine solche Struktur hat, gibt es einige seiner besonderen Eigenschaften: die äußersten 4 Valenzelektronen, so dass die Siliziumatome miteinander zu kovalenten Bindungen, Silizium hat einen hohen Schmelzpunkt und Dichte; chemischen Eigenschaften sind stabiler, Raumtemperatur ist schwierig, mit anderen Substanzen (außer Fluorwasserstoff und Lauge) zu reagieren; Siliziumkristalle in der Konzentration der freien Elektronen sind sehr niedrig, kann leitfähig sein, aber die Leitfähigkeit ist nicht so gut wie das Metall, mit der Erhöhung der Temperatur und erhöht, mit Halbleitereigenschaften.
Abb. 1 Atomare Struktur von Silizium
3 Gewinnung und Herstellung von Silizium
3.1 Herstellung von amorphem und kristallinem Silizium
Amorphes Siliciumdioxid kann durch die Reduktion von Siliciumdioxid mit Magnesium hergestellt werden. Im Labor kann Magnesiumpulver verwendet werden, um pulverförmiges Siliciumdioxid unter Rotglut zu reduzieren, und das entstandene Magnesiumoxid und Magnesiumpulver wird mit verdünnter Säure abgewaschen, und dann wird Flusssäure verwendet, um das nicht eingewirkte Siliciumdioxid abzuwaschen, d. h. man erhält das monomorphe Siliciumdioxid. Bei dieser Herstellungsmethode ist das amorphe Silicium nicht rein genug, denn das Pulver ist bräunlich-schwarz.
Kristallines Silizium kann durch Reduktion von Siliziumdioxid mit Kohlenstoff in einem Elektroofen hergestellt werden. Industriell wird Silicium durch Reduktion von Siliciumdioxid (>99% SiO2) in einem elektrischen Lichtbogenofen hergestellt. Als Reduktionsmittel werden u. a. Petrolkoks und Holzkohle verwendet. Bei der Verwendung eines Gleichstromlichtbogenofens kann anstelle von Holzkohle Petrolkoks verwendet werden. Petrolkoks hat einen niedrigen Aschegehalt (0,3 % bis 0,8 %), und die Verwendung von hochwertigem Siliziumdioxid (SiO2 über 99 %) ermöglicht die direkte Raffination von hochwertigem Silizium für die Herstellung von Siliziumstahlblechen.
Abb. 2 Ausrüstung zur Herstellung von kristallinem Silizium - Gleichstromlichtbogenofen
3.2 Aufbereitung von Reinstsilicium, monokristallinem und polykristallinem Silicium
Hochreines Silicium für die Elektronikindustrie wird durch Reduktion von Siliciumtrichlorhydrid oder Siliciumtetrachlorid mit Wasserstoff hergestellt. Das Verfahren ist die Reduktion von hochreinem Siliciumtrichlorhydrid SiHCl3 oder SiCl4 mit Wasserstoff an heißen Siliciumstäben bei 1200 °C.
Hochreines monokristallines Silizium kann durch gerades Ziehen oder Zonenschmelzen usw. hergestellt werden. Zonenschmelzendes monokristallines Silizium wird durch das Float-Zone-Melting-Verfahren hergestellt und ist daher auch als FZ-Silizium-Einkristall bekannt. Monokristallines Silizium wird nach der Tschernobyl-Methode hergestellt und ist als monokristallines CZ-Silizium bekannt. Diese beiden Arten von monokristallinem Silizium haben unterschiedliche Eigenschaften und unterschiedliche Anwendungen: Zone Fusion monokristallinen Siliziums ist vor allem in High-Power-Geräte verwendet werden, nur ein sehr kleiner Teil der monokristallinen Silizium-Markt, auf dem internationalen Markt entfielen etwa 10% oder so, und gerade ziehen monokristallinen Siliziums ist vor allem in mikroelektronischen integrierten Schaltungen und Solarzellen verwendet, ist das Thema der monokristallinen Silizium. Im Vergleich zu Zone Fusion monokristallinem Silizium, gerade ziehen monokristallinem Silizium Herstellungskosten ist relativ niedrig, hohe mechanische Festigkeit, und einfach zu großen Durchmesser Einkristall vorzubereiten, so dass die Solarzelle Feld ist vor allem in der Anwendung von gerade ziehen monokristallinem Silizium, anstatt Zone Fusion monokristallinem Silizium verwendet.
DieCzochralski-Methode wurde 1971 von dem Polen J. Czochralski erfunden, weshalb sie auch als Che-Methode bekannt ist. 1950 Teal und andere werden für das Wachstum von Halbleiter-Germanium-Einkristalle verwendet werden, und dann verwenden Sie diese Methode des Wachstums von gerade ziehen einkristallinen Silizium, auf der Grundlage der, Dash schlug eine gerade ziehen einkristallinen Silizium-Wachstum von "Einschnürung"-Technologie, G. Ziegler vorgeschlagen schnelle Einschnürung Wachstum der feinen Hals-Technologie, die die moderne Vorbereitung der großen Durchmesser Versetzung frei gerade ziehen einkristallinen Silizium grundlegende Methode. Die Züchtung von monokristallinem Silizium mit geradem Zug ist die wichtigste Technologie für die Herstellung von monokristallinem Silizium, aber auch die wichtigste Methode zur Herstellung von monokristallinem Silizium für Solarzellen.
Abb. 3 Siliziumkristall, der nach dem Czochralski-Verfahren bei Raytheon gezüchtet wird
Der Aufbereitungsprozess für monokristallines Silizium im Straight-Pull-Verfahren umfasst im Allgemeinen das Laden und Schmelzen des Polysiliziums, das Keimkristallisieren, das Einschnüren, die Schulterfreigabe, die Isometrie und die Endbearbeitung.
Solarzelle Polysilizium säulenförmige Kristalle, Kristallwachstum Richtung vertikal nach oben, wird durch gerichtete Erstarrung (auch bekannt als kontrollierte Erstarrung, gezwungen Erstarrung) Prozess realisiert, das heißt, in der Kristallisation, durch die Kontrolle der Temperatur Feld ändert, die Bildung von uni-direktionalen Wärmestrom (Wachstumsrichtung und die Richtung der entgegengesetzten Richtung des Wärmestroms), und die Anforderungen der Flüssigkeit-Festkörper-Grenzfläche an der Temperaturgradient ist größer als 0, und quer zu den Anforderungen der Abwesenheit eines Temperaturgradienten, um die Bildung von gerichteten Wachstum der säulenförmigen Kristalle. Realisierung von Polysilizium gerichtete Erstarrung Wachstum der vier Methoden sind die Brillman-Methode, Wärmeaustausch-Methode, elektromagnetische Barren Gießen Methode, und Gießen Methode. Gegenwärtig wird von den Unternehmen am häufigsten die Wärmeaustauschmethode zur Herstellung von Polysilicium verwendet. Die Wärmeaustauschmethode für die Herstellung von gegossenem Polysilizium hat im Allgemeinen folgenden Ablauf: Laden → Erhitzen → chemisches Material → Kristallwachstum → Glühen → Abkühlen.
4 Silizium in der Elektronikindustrie
4.1 Integrierte Schaltkreise (IC)
Bei der Herstellung integrierter Schaltkreise (IC) dienen Siliziumwafer als Trägermaterial für den Chip und sind zu einem Kernbestandteil moderner elektronischer Geräte geworden. Die meisten Geräte wie Computer, Smartphones und Tablets sind intern auf diese siliziumbasierten ICs für die Datenverarbeitung und -verarbeitung angewiesen. Silizium verfügt über hervorragende Halbleitereigenschaften, was es zu einem idealen Material für die Herstellung von Transistoren macht. Transistoren sind die Kernkomponenten integrierter Schaltkreise, die durch die Steuerung des Stromflusses Schalt- und Logikvorgänge ausführen können, was die Grundlage für die komplexen Rechenfunktionen moderner Chips ist.
Darüber hinaus werden die Produktionskosten durch den Reichtum an Siliziummaterialien und die hochentwickelten Reinigungstechnologien weiter gesenkt. Silizium ist auf der Erde im Überfluss vorhanden und kann durch das Zonenschmelzverfahren leicht auf einen extrem hohen Reinheitsgrad gereinigt werden, der den strengen Materialanforderungen für die Herstellung integrierter Schaltkreise entspricht. Diese Eigenschaft eignet sich nicht nur für die Herstellung in großem Maßstab, sondern bietet der Chipindustrie auch eine nachhaltige Quelle für kostengünstige Materialien, wodurch siliziumbasierte ICs zum Eckpfeiler für die Entwicklung des Informationszeitalters werden.
Abb. 4 Integrierte Schaltung
4.2 Solarzellen
Monokristallines und polykristallines Silizium sowie Dünnschichten aus Silizium haben wichtige Anwendungen in Solarzellen.
Monokristalline Silizium-Solarzellen werden aus hochreinem monokristallinem Silizium hergestellt, das aufgrund seiner homogenen Zellstruktur und geringer Gitterdefekte den höchsten photovoltaischen Umwandlungswirkungsgrad (in der Regel 20 % oder mehr) aufweist. Monokristallines Silizium hat gute Lichtabsorptionseigenschaften und verringert den Energieverlust bei der photovoltaischen Umwandlung. Aufgrund ihres hohen Wirkungsgrads und ihrer Stabilität werden monokristalline Silizium-Solarzellen häufig in Anwendungen eingesetzt, die eine hohe Energiedichte erfordern, wie z. B. auf Hausdächern, Gewerbegebäuden und Solarkraftwerken. Diese Zellen eignen sich für langfristige Installationen und Situationen, die eine hohe Energieeffizienz erfordern, und trotz ihrer relativ hohen Kosten können sie die Stromerzeugung in Situationen maximieren, in denen die Landnutzung begrenzt ist.
Polykristalline Silizium-Solarzellen werden aus Blöcken von polykristallinem Silizium gegossen, dessen kristalline Struktur eine große Anzahl von Korngrenzen enthält, was zu etwas niedrigeren photovoltaischen Umwandlungswirkungsgraden führt als bei monokristallinem Silizium (in der Regel zwischen 15 % und 18 %). Polykristalline Siliziummaterialien sind weniger energieintensiv in der Herstellung und relativ kostengünstig. Polykristalline Siliziumzellen sind kostengünstig und werden daher häufig für große Solaranlagen und zur Stromversorgung von Versorgungsunternehmen und Industrieanlagen verwendet. Sie werden auch in netzunabhängigen Systemen in Szenarien wie der ländlichen Elektrifizierung und der Beleuchtung von Verkehrsschildern eingesetzt. Diese Zellen können eine hohe Stromerzeugung liefern und sind dennoch kostengünstig, was sie ideal für die weit verbreitete Installation in Freiflächen-Solarfarmen und netzunabhängigen Gebieten macht.
Dünnschicht-Silizium-Solarzellen werden durch Aufbringen einer sehr dünnen Siliziumschicht auf ein Glas-, Metall- oder Kunststoffsubstrat hergestellt. Aufgrund der dünnen Siliziumschicht ist ihr photovoltaischer Wirkungsgrad im Allgemeinen gering (in der Regel etwa 10 % bis 12 %), aber sie sind leicht und flexibel. Aufgrund ihres geringen Gewichts und ihrer Flexibilität eignen sich Dünnschicht-Silizium-Solarzellen für gebäudeintegrierte Anwendungen (BIPV), bei denen sie direkt an Gebäudefassaden, Fenstern und anderen Oberflächen angebracht werden können, um die Gebäudestruktur mit stromerzeugenden Funktionen auszustatten. Darüber hinaus können diese Zellen in tragbaren und tragbaren Geräten wie Solarrucksäcken, Zelten und anderen mobilen Anwendungen eingesetzt werden, um kleine Geräte mit Strom zu versorgen.
Abb. 5 Solarzellen
4.3 Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und Sensoren
Silizium hat dank seiner hervorragenden mechanischen und elektrischen Stabilität ein breites Anwendungsspektrum im Bereich der mikroelektromechanischen Systeme (MEMS) und Sensoren. MEMS-Bauteile nutzen die Eigenschaften von Silizium zur Umwandlung mechanischer und elektrischer Signale auf Mikroebene und werden in einer Vielzahl von Geräten wie Beschleunigungsmessern, Gyroskopen, Drucksensoren usw. eingesetzt. Diese Geräte spielen eine entscheidende Rolle in Airbag-Systemen für Autos, bei der Bewegungserfassung von Smartphones, bei der Gleichgewichtskontrolle von Drohnen und vielem mehr. Diese Geräte spielen eine entscheidende Rolle bei Airbag-Systemen in Fahrzeugen, bei der Bewegungserfassung in Smartphones und bei der Gleichgewichtskontrolle in Drohnen. Darüber hinaus können Sensoren auf Siliziumbasis Umweltparameter wie Temperatur, Feuchtigkeit und Druck genau messen, wodurch sie in der Automobilindustrie, der industriellen Automatisierung und der Unterhaltungselektronik weit verbreitet sind. Silizium wird auch in mikrofluidischen Geräten verwendet, deren Mikrokanalstruktur eine hochpräzise Steuerung von Flüssigkeiten ermöglicht, und wird im medizinischen Bereich im "Lab-on-a-Chip" zum Nachweis winziger Substanzen in flüssigen Proben eingesetzt, was die tragbare Entwicklung der Krankheitsdiagnose und Bioanalyse fördert. Diese siliziumbasierten MEMS- und Sensortechnologien treiben den Fortschritt in der intelligenten Elektronik, der Automatisierung und der biomedizinischen Technik voran.
Abb. 6 MEMS
4.4 Leistungselektronik
Silizium spielt eine wichtige Rolle in der Leistungselektronik und wird häufig in Leistungshalbleiterbauelementen wie MOSFETs und IGBTs verwendet. Aufgrund ihrer guten Leitfähigkeit und Schaltgeschwindigkeit eignen sich diese Bauelemente besonders für die hocheffiziente Energieumwandlung in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, Stromwandlern und Ladegeräten. Leistungsbauelemente aus Silizium weisen außerdem eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad auf, wodurch sie in Anwendungen, die eine effiziente Übertragung erfordern, wie Datenzentren, Kommunikationsbasisstationen und Stromversorgungen, weit verbreitet sind. Obwohl die Leistung von Silizium in Hochtemperatur- und Hochspannungsumgebungen relativ begrenzt ist, sind seine Stabilität und Wirtschaftlichkeit bei Anwendungen mit geringer und mittlerer Leistung hervorragend, so dass es das Material der Wahl für Geräte mit kleiner und mittlerer Leistung ist. Gleichzeitig werden in vielen Studien neue Materialien und Strukturen auf Siliziumbasis erforscht, um die Leistung von Silizium-Bauelementen bei hohen Temperaturen oder in extremen Umgebungen zu verbessern und so die Weiterentwicklung zukünftiger Leistungselektroniktechnologien voranzutreiben.
4.5 Photovoltaische Anwendungen aus Silizium
Silizium spielt auch in optoelektronischen Anwendungen eine wichtige Rolle, insbesondere in der siliziumbasierten Optoelektronik, bei siliziumbasierten LEDs und in der Siliziumphotonik. Silizium-Photodioden werden häufig in optischen Kommunikationssystemen als Lichtdetektoren und Photodioden in Datenzentren und Glasfaserkommunikation eingesetzt, um die Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung über große Entfernungen zu unterstützen. Obwohl Silizium kein ideales lichtemittierendes Material ist, hat seine Photoempfindlichkeit im Infrarotbereich dazu geführt, dass es auch für Infrarot-LEDs und Chip-Verpackungen verwendet wird, vor allem in Szenarien, in denen niedrige Kosten und Langlebigkeit erforderlich sind. Darüber hinaus entwickelt sich die Silizium-Photonik zu einer Technologie, die die Übertragung, Verarbeitung und Berechnung optischer Signale durch integrierte optoelektronische Schaltkreise auf Siliziumbasis ermöglicht, was eine wichtige Rolle bei 5G, KI-Computing und anderen Bereichen spielen kann, die eine Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung erfordern. Diese Anwendungen der Silizium-Photonik treiben die Entwicklung der Datenkommunikation, der Informationsverarbeitung und der optischen Datenverarbeitung voran und ermöglichen es Silizium, eine wichtige unterstützende Rolle bei technologischen Fortschritten in der Konvergenz von Elektronik und Optik zu spielen.
5 Vorteile und Beschränkungen von Silizium
5.1 Vorteile von Silizium
1. Reichhaltigkeit und Nachhaltigkeit: Silizium ist das zweithäufigste Element in der Erdkruste, das mehr als 27 Prozent der Masse der Erdkruste ausmacht und hauptsächlich in Sand und Quarz enthalten ist. Das bedeutet, dass Silizium extrem reichlich vorhanden, relativ leicht zugänglich und nachhaltig ist. Der Reichtum an Reserven garantiert nicht nur eine stabile Versorgungskette für Silizium, sondern macht Silizium auch zu einer zuverlässigen Option für die industrielle Produktion in großem Maßstab, was der Industrie ein langfristiges Wachstum garantiert.
Abb. 7 Elementarer Gehalt der Erdkruste
2. Kontrollierbare hohe Reinheit: In der Elektronikindustrie ist die Reinheit von Halbleitermaterialien von entscheidender Bedeutung. Silizium kann durch Zonenschmelzen gereinigt werden, um einen extrem hohen Reinheitsgrad (über 99,9999 %) zu erreichen, einen Reinheitsgrad, der den Anforderungen von Hochpräzisionsgeräten wie integrierten Schaltungen und Transistoren entspricht. Das Zonenschmelzen ist eine hocheffiziente Reinigungstechnik, bei der Verunreinigungen durch Erhitzen bestimmter Bereiche eines Siliziumstabs und langsames Bewegen der Schmelzzone entfernt werden, um einen extrem hohen Reinheitsgrad des Materials innerhalb eines kontrollierten Bereichs zu erreichen. Dank dieser hochgradig kontrollierbaren Reinheit eignet sich Silizium hervorragend für viele komplexe elektronische Anwendungen, insbesondere in der Mikroelektronik und in integrierten Schaltkreisen.
3. Niedrigere Kosten: Im Vergleich zu anderen Halbleitermaterialien wie Galliumarsenid und Siliziumkarbid ist Silizium weniger teuer in der Gewinnung und Verarbeitung. Einerseits sind die natürlichen Siliziumvorkommen reichlich vorhanden und leicht abzubauen, und der erforderliche Reinigungsprozess ist relativ ausgereift und für die Produktion in großem Maßstab geeignet. Andererseits ist Silizium aufgrund seiner hohen Stabilität weniger anfällig für Verluste bei der Herstellung und Verarbeitung, was die Produktionskosten weiter senkt. Infolgedessen ist Silizium in Bereichen wie Mikroprozessoren, Speicher und Solarzellen die wirtschaftlichste Wahl geworden.
5.2 Beschränkungen von Silizium
1. Schlechte Hochtemperatureigenschaften: Obwohl sich Silizium bei Raumtemperatur stabil verhält, ist seine Leitfähigkeit bei hohen Temperaturen nicht ideal. In Hochtemperaturumgebungen nimmt der spezifische Widerstand von Silizium ab, was zu einem instabilen Stromfluss führt, der die Leistung der Geräte beeinträchtigt. Dies führt dazu, dass Silizium in Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen, wie z. B. in der Luft- und Raumfahrt, in der Militärelektronik und bei Hochleistungsstromrichtern, wo ein dauerhafter Betrieb bei hohen Temperaturen erforderlich ist und die thermische Stabilität von Silizium nicht ausreicht, um diese Anwendungen zu unterstützen, nur begrenzt einsetzbar ist. Diese Art von Anforderungen erfordern häufig die Auswahl von Materialien mit besserer Hochtemperaturleistung, wie z. B. Siliziumkarbid, um Silizium zu ersetzen.
2. Begrenzung der Bandlücke: Silizium hat eine niedrige Bandlücke (1,1 eV), die zwar bei einigen Anwendungen zu einer hohen Empfindlichkeit führt, bei Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzgeräten jedoch unerwünscht ist. Die niedrige Bandlücke begrenzt die Geschwindigkeit, mit der Elektronen schalten können, so dass Silizium bei hohen Frequenzen weniger gut abschneidet als andere Materialien mit größeren Bandlücken, wie z. B. Galliumarsenid, und daher bei Hochgeschwindigkeitskommunikationsanwendungen wie 5G, Millimeterwellengeräten und HF-Leistungsverstärkern eingeschränkt ist. Für diese Anwendungen werden Materialien mit höheren Bandlücken benötigt, um sicherzustellen, dass die Geräte höhere Frequenzen und höhere Datenübertragungsgeschwindigkeiten unterstützen können.
6 Schlussfolgerung
Die Rolle von Silizium in der Elektronik ist aufgrund seiner Häufigkeit, Kosteneffizienz und einzigartigen Halbleitereigenschaften unvergleichlich. Seine hohe Reinheit und die einfache Herstellung ermöglichen es ihm, sich in Bereichen wie Mikroelektronik, Solarenergie und MEMS auszuzeichnen. Allerdings stößt Silizium in Hochtemperaturumgebungen und bei Hochfrequenzanwendungen an seine Grenzen, so dass alternative Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumarsenid oft vorzuziehen sind. Die kontinuierlichen Fortschritte in der Siliziumtechnologie zielen darauf ab, diese Herausforderungen zu bewältigen und seine anhaltende Bedeutung für die Entwicklung der Elektronik zu gewährleisten. Silizium ist nach wie vor unverzichtbar, denn es treibt Innovationen voran und unterstützt die laufende Transformation der digitalen und erneuerbaren Energielandschaft.
Stanford Advanced Materials (SAM) ist ein wichtiger Anbieter von hochwertigen Siliziummaterialien und unterstützt diese kritischen Anwendungen mit zuverlässigen Materiallösungen.
Weiterführende Lektüre:
Galliumarsenid-Wafer VS. Silizium-Wafer
Wachstum von Graphen und Anhaftung an Siliziumwafern
Der Einfluss der Siliziumwaferqualität auf die Leistung und Zuverlässigkeit von Halbleitern
