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Stanford Advanced Materials
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  • CY2536 Silizium-Germanium (Si-Ge) Einkristall-Substrate

    • CY2536 Silizium-Germanium (Si-Ge) Einkristall-Substrate

    Katalog-Nr. CY2536
    Größe 4" Durchmesser x 0,5 mm
    Material Si-Ge（2 Gew.-% Ge）
    Orientierung ±0.5°
    Wachstumsmethode Kristallisationsprozess

    Silizium-Germanium (Si-Ge) Einkristall-Substrate sind dank ihrer hervorragenden Eigenschaften weit verbreitet. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über mehr als zwei Jahrzehnte Erfahrung in der Herstellung und dem Vertrieb von Silizium-Germanium (Si-Ge) Einkristall-Substraten.

    Verwandt: LiAlO2-Kristallsubstrat, LAST-Kristallsubstrat, LiF-Kristallsubstrat, NdGaO3-Kristallsubstrat.

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    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
    CY2536 Silicon-Germanium (Si-Ge) Single Crystal Substrates
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