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Stanford Advanced Materials
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  • CY3532 SiTe2-Kristall

    • CY3532 SiTe2-Kristall

    Katalog-Nr. CY3532
    Material SiTe2
    Produktionsverfahren Chemischer Dampftransport (99,9995% Reinheit)
    Größe 2-4mm
    Kristallstruktur 1T-Phase

    SiTe2-Kristall ist ein neuer Schichtkristall, der mit Hilfe von 2D-Halbleitern unter Verwendung der konventionellen chemischen Dampftransporttechnik (CVT) mit einem Reinheitsgrad von 99,9995 % hergestellt wird. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger optischer Produkte.

    Verwandte Produkte: SbTe-Kristall, HfTe5-Kristall, NbTe4-Kristall, ZrGeTe4-Kristall

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    NN0246 Nano-Wismut-Pulver (Bi) (CAS-Nr. 7440-69-9)
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    GR0396 Graphen-Nanopulver: Durchmesser 100nm
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    GR0398 Graphen-Nanopulver: Durchmesser ~5μm
    GR0903 CVD Graphene
    GR0903 CVD-Graphen
    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 Siliziumkarbid-Tabletts (SiC-Tabletts)
    sc/1727582634-BC0968.jpg
    BC0968 Berylliumoxid-Keramik-Kühlkörper, BeO
    BC0970 Beryllium Oxide Ceramic Substrates, BeO
    BC0970 Berylliumoxid-Keramiksubstrate, BeO
    BS1109.jpg
    BS1109 Wismutmetall (CAS-Nr. 7782-49-2)
    CD1110 Cadmium Metal (Cd Metal) (CAS No.7440-43-9)
    CD1110 Cadmium-Metall (Cd-Metall) (CAS-Nr.7440-43-9)

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