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Stanford Advanced Materials
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  • CY3528 ZrGeTe4-Kristall

    • CY3528 ZrGeTe4-Kristall

    Katalog-Nr. CY3528
    Material ZrGeTe4
    Größe 4-5 mm groß
    Kristallstruktur Tetragonale Phase
    Produktionsverfahren Flux-Zone

    DerZrGeTe4-Kristall ist ein geschichteter anisotroper Halbleiter mit einer vorhergesagten Bandlücke von 0,4 eV. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger Halbleiterprodukte.

    Verwandte Produkte: SbTe-Kristall, HfTe5-Kristall, NbTe4-Kristall, SiTe2-Kristall

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    Beschreibung
    Spezifikation

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    NN0246 Nano-Wismut-Pulver (Bi) (CAS-Nr. 7440-69-9)
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    GR0396 Graphen-Nanopulver: Durchmesser 100nm
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    GR0398 Graphen-Nanopulver: Durchmesser ~5μm
    GR0903 CVD Graphene
    GR0903 CVD-Graphen
    SC0957 Silicon Carbide Trays (SiC Trays)
    SC0957 Siliziumkarbid-Tabletts (SiC-Tabletts)
    sc/1727582634-BC0968.jpg
    BC0968 Berylliumoxid-Keramik-Kühlkörper, BeO
    BC0970 Beryllium Oxide Ceramic Substrates, BeO
    BC0970 Berylliumoxid-Keramiksubstrate, BeO
    BS1109.jpg
    BS1109 Wismutmetall (CAS-Nr. 7782-49-2)
    CD1110 Cadmium Metal (Cd Metal) (CAS No.7440-43-9)
    CD1110 Cadmium-Metall (Cd-Metall) (CAS-Nr.7440-43-9)

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